同轴线扫共焦技术用于半导体检测
简介
高速高分辨同轴线扫共焦系统，用于半导体和电子工业检测。该系统提供高达0.5μm分辨率、超过10:1的纵横比（孔深度:孔径）以及高达1万线/秒的扫描速度，解决了传统检测方法的不足。
商品化机会
知识产权授权，技术合作开发，合同研究
解决方案
摩尔定律和半导体工艺接近极限，先进封装显著影响芯片性能。传统在线半导体检测方法存在扫描速度慢、无法测量微小结构或仅能检测有限缺陷等问题。这款同轴线扫共焦系统可以有效解决这些问题。
创新技术
- 同轴远心光路设计使系统能够测量的高宽比可达8:1-18:1及以上。
- 硬件加速嵌入式系统的实现，使线扫描速度达到10000线/秒及以上。
- 针对透明物体的多层接口反射问题，开发了多层算法和小波变换算法，从而能够清晰地获取各层的三维点云。
主要成效
- 可测量高达 8:1-18:1 或以上的高宽比
- 扫描速度高达 10,000 线/秒或以上
- 分辨率高达 0.5μm（沿深度方向）
- 可检测晶圆凸块、重分布层和硅通孔等各种特征
奖项
- 第48届日内瓦国际发明展银奖
- 2023-2024香港工商业奖：设备及机械设计奖
应用范畴
- 半导体先进封装在线检测：该技术满足晶圆凸块、重分布层和硅通孔等组件日益增长的检测需求。
- 电子及先进制造领域在线检测：包括PCB 基板、铜基板、深孔、多层透明物体、手机盖板玻璃等。
专利申请
- 美国专利号：11,287,626
- 美国专利申请号：19/096,181
