同軸線掃共焦技術用於半導體檢測
簡介
高速高分辨同軸線掃共焦系統，用於半導體和電子工業檢測。該系統提供高達0.5μm解析度、超過10:1的縱橫比（孔深度:孔徑)以及高達1萬線/秒的掃描速度，解決了傳統檢測方法的不足。
商品化機會
智慧財產權許可，技術共同開發，合同研究
解決方案
摩爾定律和半導體工藝接近極限，先進封裝顯著影響晶片性能。傳統線上半導體檢測方法存在掃描速度慢、無法測量微小結構或僅能檢測有限缺陷等問題。這款同軸線掃共焦系統可以有效解決這些問題。
創新技術
- 同軸遠心光路設計使系統能夠測量的高寬比可達8:1-18:1及以上。
- 硬體加速嵌入式系統的實現，使線掃描速度達到10000線/秒及以上。
- 針對透明物體的多層介面反射問題，開發了多層演算法和小波變換演算法，從而能夠清晰地獲取各層的三維點雲。
主要成效
- 可測量高達 8:1-18:1 或以上的高寬比
- 掃描速度高達 10,000 線/秒或以上
- 解析度高達 0.5μm（沿深度方向）
- 可檢測晶圓凸塊、重分佈層和矽通孔等各種特徵
獎項
- 第48屆日內瓦國際發明展銀獎
- 2023-2024香港工商業獎：設備及機械設計獎
應用範疇
- 半導體先進封裝線上檢測：該技術滿足晶圓凸塊、重分佈層和矽通孔等元件日益增長的檢測需求。
- 電子及先進製造領域線上檢測：包括PCB 基板、銅基板、深孔、多層透明物體、手機蓋板玻璃等。
專利申請
- 美國專利號：11,287,626
- 美國專利申請號：19/096,181
